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G-24 パワー半導体フォーラム 日・英
終了

省エネの切り札パワー半導体,IGBTからSiCまで技術展望
~進化するSiデバイス,存在感増す次世代材料SiCとGaN~

日時:11月11日(木) 9:30~16:00

(休憩 12:00~13:30)

会場:アパホテル 第3会場

サーバー機やパソコンなどのIT機器,エアコンをはじめとする白物家電,太陽光発電システムで利用するパワー・コンディショナー,ハイブリッド車といった電動車両,電車や送電システムなど多岐にわたる分野で活躍の場が増えているパワー半導体。用途拡大とともに,IGBTやパワーMOSFETの性能が向上し続けています。これに加え,現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として,GaNやSiCを利用する動きが活発化しています。本フォーラムではIGBTやパワーMOSFET,そしてGaNやSiCを使ったパワー半導体の最新動向を紹介します。

  • Gourab Majumdar

    IGBTやインテリジェント・パワーモジュール技術の現状と動向

    三菱電機

    Gourab Majumdar

    学歴
    1977年 3月インド工科大学ニューデリー校卒業
    2005年 3月九州工業大学工学博士学位取得
    業歴
    1978年 9月9月から日本政府の奨学金を受け、三菱電機で研修
    1980年 9月一時帰国後、再来日し、正式に同社に入社
    1980年10月三菱電機株式会社入社(電力事業本部配属)
    1984年12月(半導体事業本部配属)
    1996年 4月パワーデバイス事業統括部パワーデバイス第一部
    IPM設計課 課長任務
    1999年 4月パワーデバイス事業統括部パワーデバイス第一部
    自動車用IPMプロジェクト部長
    2002年 4月パワーデバイス事業統括部主管技師長
    PCIM Advisory Committee委員(’05~現在)
    ISPSD Organizing Committee委員(’05~現在)
    2008年 4月パワーデバイス製作所技師長
    現在に至る

    地球温暖化・環境汚染・エネルギー問題は最重要グローバルな課題となっている。環境保護のため資源とエネルギーを高度利用することが重要な課題であり、その解決策として重要な役割を果たしているパワーエレクトロニクス(パワエレ)技術の展開とそのキーパーツであるパワーデバイス技術の動向が注目を浴びている。様々なパワエレ・システムの同行に対応してパワーデバイスも大きな発展を遂げており、今後も継続的な進化が期待されている。特にIGBTモジュールやインテリジェントパワーモジュール(IPM)の技術革新は目覚しく、今日では数十ワットから数十メガワット領域のパワエレ装置で電力損失を大幅に低減し、省エネルギーの電力変換効率向上に大きく寄与している。本講演では、IGBTモジュールやIPMに重点をおき、弊社におけるこれらデバイスの最新技術及び動向について説明する。

  • 田中 雅春

    高効率電力変換を可能にするMOSFETテクノロジー

    フェアチャイルドセミコンダクタージャパン

    田中 雅春

    1983年、国内大手電子部品メーカー入社。様々なモジュールの開発、設計に従事し、その後1998年よりフェアチャイルドセミコンダクタージャパン(株)にて フィールドアプリケーションエンジニアとしてMOSFET製品を中心に様々なパワー半導体のサポート担当。

    低炭素社会の実現のためには、生成した電力を有効に使う、即ち電力損失を低減することが必須である。そのためには、電源回路の電力変換効率を高めることが重要であるが、回路方式はもちろん、重要な構成素子であるパワーMOSFETの性能が、その電力変換効率に大きな影響を与える。従って、MOSFETの性能向上は極めて重要である。本講演では、最先端のMOSFET技術であるスーパージャンクションFETの構造と特徴について解説し、その利点を説明する。併せて、その応用例を幾つか提示し、その効果を確認する。加えて、同技術の最新技術動向と、今後のパワーMOSFETの開発トレンドについても紹介する。

  • 南川 明

    省エネの切り札パワー半導体を牽引するスマートグリッド

    アイサプライ・ジャパン

    南川 明

    2006年12月米アイサプライ社と合併
    2004年7月株式会社データガレージ設立
    2003/4-2004/2クレディーリヨネ証券会社 調査部 テクノロジーヘッド&シニア・アナリスト
    2000/6-2003/4WestLB証券会社 調査部 ディレクター&シニア・アナリスト
    1996/1-2000/5IDC Japan 株式会社 ディレクター
    1990/5-1995/12ガートナー ジャパン株式会社 データクエスト 半導体産業分析部 シニア・アナリスト
    1982/4-1990/5モトローラ株式会社/Hong Kong Motorola Marketing specialist
    1982/3武蔵工業大学 電気工学科卒業 自動制御専攻

    JEITAでは6年間に渡り、世界の電子機器と半導体中長期展望委員会の中心アナリストとして従事する。定期的に台湾主催の半導体シンポジウムで講演を行うなどアジアでの調査・コンサルティングを強化してきた。特許庁の自動車用特許の技術審査委員、半導体関連特許審査委員。NEDOの「FeRAM製造技術の開発」研究評価委員。

    講演活動&執筆活動

    JEITA、半導体産業新聞、SEMI Japan (日本、韓国、台湾など)、電子ジャーナルなどのセミナーで定期的に講師として講演を行っている。

    半導体産業新聞、電子ジャーナル、日経マイクロデバイスでも連載記事を執筆。

    その他、メディアでも記事の執筆やTV出演などの広報活動も精力的に行う。

  • 谷本 智

    SiCパワーエレクトロニクス―25% CO2削減の切り札に―

    技術研究組合・次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (FUPET)/
    日産自動車総合研究所 EVシステム研究所

    谷本 智

    1980年日産自動車(株)入社、総合研究所に所属。1980年以来、今日まで、液晶インスツルメントパネル、薄膜ELパネル、高信頼半導体集積回路、機能性半導体装置(FeRAM等)、パワー半導体デバイス、固体酸化物燃料電池(SOFC)、ダイヤモンド半導体素子等の研究開発に従事。1998年からSiCパワー半導体デバイス/EVシステムの開発が主務、今日に至る。2009年からFUPET第3研究センターに所属(兼務)。NEDOプロジェクト「超低損失電力素子基盤技術開発(1999年-2003年)」「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発(2007年-2009年)」「次世代パワーエレクトロニクス技術開発(2009年-2013年, FUPET)」に参加。FUPETでは超小型大容量SiC電力変換器開発の陣頭指揮をしている。

    政府は2020年までに温室効果ガスを対90年比で25%削減を国際公約に掲げさ複数の環境戦略スキームに取り組んでいる。なかでもガソリン車から電動車への置換え、スマートシティーの実現、ローテクモータ機械のインバータ制御化などは削減効果が大きく、有効な手立てとして広く認知されている。これら動力装置やシステムの構築に共通して必要なのが小型大容量かつ高性能な電力変換器(インバータ、コンバータ)である。SiC半導体電力変換器はこのような変換器の最有力候補と目され久しかったが、今年なって大容量のSiCパワトランジスタが商業的に入手できるようになったことから、開発競争の激化は時間の問題である。本講演ではFUPETがごく最近完成させた空冷3相出力10kW、出力パワ密度20kW/LオールSiCインバータの全容とこれに搭載した高温実装技術と高速ドライブ技術をご紹介させていただく。

  • 矢ノ倉 栄二

    ダウコーニングのSiCウエハ製品と技術トレンド紹介

    東レ・ダウコーニング

    矢ノ倉 栄二

    1983年東北大学理学研究科修士課程修了後、(株)日立製作所にて高周波用GaAsパワーMESFET、高周波用SiパワーMOSFET、スイッチング用SiパワーMOSFET等の開発に従事。2002年からインフィニオンジャパン(株)にて高耐圧パワー半導体のマーケティングを担当。2008年から東レ・ダウコーニング(株)にて SiCウエハ事業開拓を担当し、現在に至る。

    2008年の3インチウエハ量産開始以降、ダウコーニングはウエハ及びエピタキシャル層特性を急速に改善し、最近では4インチエピタキシャルウエハの量産開始とマイクロパイプフリー種結晶採用を発表した。 講演では、この間の技術開発の経緯を紹介し、また2011年に向けた新製品及び技術トレンド等を紹介する。

  • 藤原 エミリオ

    GaNデバイスの技術と応用

    インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン

    藤原 エミリオ

    神戸大学大学院修士課程終了後、半導体および電源メーカーにおいて、スイッチング技術やインバータ回路などのパワー半導体のアプリケーション技術に従事、25年にわたる豊富な経験があります。現在はインターナショナル・レクティファイアー・ジャパンにおいて、モーター制御用インバータ、スイッチング電源向けのパワー・デバイスの技術サポートを担当、技術雑誌への寄稿や技術セミナーの講師としても活躍しています。

    なぜGaNがパワーデバイスにとって興味深い素材なのか、GaNとはどういうもので、GaNベースのパワーデバイスとは何か、GaNベースのパワーデバイスを商品化するにあたって、何が障壁となり、IRのGaNpowIR技術のプラットフォームがどのようにその障壁を克服したのか―パワー半導体のアプリケーションにとって新素材であるGaNの持つポテンシャルについて発表します。

    また、GaNpowIR技術のパワーデバイスの現在のパフォーマンスや、最初の量産製品iP2010のリリースを可能にした、独自の150mmSiウエハーを使った基板によるGaN-on-Siヘテロエピタキシャル技術についても説明します。

同時開催: FPD International 2010

基調講演

Green Device フォーラム 2010

FPD International フォーラム 2010