Smart City Week 2012 会場速報

2012年11月2日

【SCW2012】富士通セミコンダクター、センサー社会向けにFRAMを展示

 富士通セミコンダクターは2012年11月1日、パシフィコ横浜で開催中の「Smart City Week 2012」において、高速に書き換えできる不揮発性メモリー「FRAM」(Ferroelectric RAM)のデモンストレーションを展示している(写真1)。センサーがデータをリアルタイムに収集/記録する時代ではFRAMの需要が高まる、としている。


写真1●風力センサーのログをリアルタイムに記録するデモンストレーション。
FRAMとE2PROMの書き込み速度と寿命を比較している

 FRAMとは、同社が1999年から出荷している、高速に書き換え可能な半導体メモリーである。書き換え速度や書き換え可能回数(寿命)においてSRAMと同様の感覚で使える一方で、揮発性のSRAMとは異なり、バッテリーを必要とせずに記録内容を保持できる。出荷当時は高価なメモリーだったが、現在では「(SRAMよりも低速/低寿命の)E2PROMと勝負できるものもある」(説明員)価格という。

 同社は、今後やってくる情報社会(センサーネットワーク社会)においては、停電でも情報が消えない不揮発性メモリーで、なおかつ、短いサンプリング間隔でデータを書き換えても長期にわたって使い続けられる長寿命メモリーが求められるだろう、というシナリオを描いている。

 展示ブースでは、風力の計測センサーを使ってFRAMとE2PROMを比べたデモが注目を集めた。FRAMはサンプリング間隔として2ミリ秒に1回ログデータをメモリーに記録する(写真1の左側画面の青いグラフ)。この使い方で、FRAMの寿命は634年間である。一方、E2PROMは、もっと粗い間隔でログを記録している(オレンジのグラフ)。仮にE2PROMをFRAMと同じ間隔で利用すると、寿命は6時間で終わってしまう。

 もう一つのデモでは、SRAM、FRAM、E2PROMの3つのメモリーを横に並べて、同一のアプリケーション回路を使ったデータ書き込みの速度を比較する基盤を実演した(写真2)。この実演では遅いタイプのSRAMを使っているので、SRAMとFRAMの速度の違いはほとんど表れていない。一方で、E2PROMは明らかに遅い数値を表示していた。


写真2●SRAM、FRAM、E2PROMの書き込み速度を同一条件で
比較するデモンストレーション基盤を展示した

表●代表的なメモリーの特徴
メモリーの種類SRAMFRAME2PROMFLASH
書き換え時間55ns150ns10ms10μs
書き換え回数無制限1兆回100万回10万回
データを保持するバッテリー必要不要不要不要
(数値は富士通セミコンダクターの展示パネルから引用)

(日川 佳三=ITpro)

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